日媒：中国力推半导体国产化未来或将掌握价格主导权参考消息网4月13日报道日媒称，中国正式推进设备投资加快半导体国产化，2018年底或将开始提供三维NAND闪存芯片。...[详细]
湖北日报讯（记者李源、通讯员张珊妮、吴非）我国拥有自主知识产权的三维NAND闪存芯片距离批量生产又进一步。4月11日上午，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资...[详细]
位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台１１日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，我国首批拥有完全自主知识产权的３２层三维ＮＡＮＤ闪存芯片将于年内量产，...[详细]
首批“中国造”32层三维NAND闪存芯片年内量产周芳11日，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装。...[详细]
新华社武汉４月１１日电（记者陈俊）位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台１１日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，...[详细]
中国证券网讯新华社4月11日消息，位于武汉“中国光谷”的国家存储器基地项目芯片生产机台１１日正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，...[详细]
【国家存储器基地项目芯片生产机台进场安装中国首批32层三维NAND闪存芯片年内量产】由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路产业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目芯片生产机台正...[详细]
相比三星、东芝、美光等公司，中国现在DRAM内存、NAND闪存技术上要落后多年，不过中国的科研人员也一直在追赶最新一代技术，前不久有报道称中国投资130亿元开建PCM相变内存，...[详细]
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